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《初学芯片：了解芯片的工艺制造流程之阱的制备过程。》
为确保后续栅氧质量，这是清除注入损伤层，金属污染，方便制作高质量栅氧界面的过程：由于离子注入时高能离子（硼，磷）注入会破坏二氧化硅的晶格结构，导致表面缺陷和污染，并且氧化过程中导致其厚度不均匀，不方便下次涂抹光刻胶。第三步光刻曝光与显影。需要多层掩模版定义不同工艺步骤图形，其核心流程包括衬底准备，阱的制备，场氧隔离有源区，调整阈值电压，栅极形成，源漏的注入，构建金属互连（接触孔，金属化，钝化层）。硅片——氧化SIO2——涂胶——光刻——离子注入——刻蚀——去胶——推阱——二次氧化——全剥——完成阱。
——来自博客 https://blog.csdn.net/m0_61923314/article/details/146550334
在光刻曝光显影后是先刻蚀阱区二氧化硅层还是先离子注入(单选)
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刻蚀阱区二氧化硅层
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离子注入
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