在学习计算机组成原理的时候遇到了一些困惑：dram刷新与破坏性读出是否有因果关系？
按照理解，dram由于采用栅极电容上的电荷存储信息，而电荷一般只能维持1-2ms所以需要刷新来维持信息的存在。
而破坏性读出是指存储单元的信息被读出时原存储信息被破坏。
从概念上看，刷新并不是因为破坏性读出而直接要求的，二者似乎没有必然联系？
王道书本上讲的并不是很详细，仅从概念上无法判断，这个问题先保留，等考完试再深究。